Home   Background   Products  Applications  News  Contacts  

 

ИРС-5
Высокоэффективные излучающие диоды
ИРС5-590, ИРС5-630, ИРС5-800, ИРС5-870
590 нм, 630 нм, 800 нм, 870 нм, /15°, 40°, 90°/
Возможно также изготовление диодов на длинны волн: 460нм, 505нм, 525нм и белых.
Высокоэффективные излучающие диоды видимого и ИК-дианазонов в металло-полимерном корпусе изготовлены на основе гетероструктуры алюминий-галий-мышьяк с прозрачной подложкой (TS AlGaAs). Излучающий кристалл представляет собой светоотражающую мезаструктуру с диаметром тела свечения 300 мкм. Контактные площадки из сплава на основе золота (к п- и р- областям структуры) расположены на тыльной поверхности мезаструктуры и для достижения низких значений электрического и теплового сопротивления припаяны к соответствующим металлическим электродам коммутационной платы (подложка из оксидированного кремния). Верхняя поверхность кристалла не содержит электродов и представляет собой однородную излучающую область. Излучающий диод обладает высоким квантовым выходом излучения и позволяет пропускать большие прямые токи. Электрические и оптические характеристики излучающих диодов ИРС-5 приведены в таблице.
Достоинства
Высокоэффективная структура с прозрачной подложкой
Высокая однородность тела свечения
Высокая мощность излучения
Повышенная временная стабильность основных параметров
 
Области применения
Индикация
Подсветка, оптическая связь и дистанционное управление
Предельные эксплутационные данные
(Токр=25°С)
Постоянный прямой ток 1,2 (ИК) .......120 мА
Импульсный ток tи=10 мкс, Q>100…1500 мА
Рассеиваемая мощность .. ......... .... 250 мВт
Температура хранения ....…....……. -60°С - +85°С
Диапазон рабочих температур….… -60°С - +75°С
Тепловое сопротивление р-п переход-окружающая среда .... 300 оС/Вт
1. Для ИК диодов прямой постоянный ток может быть увеличен до 180 мА, если используется внешний радиатор площадью не менее 10 см2.
2. Снижается линейно при температуре выше 55°С с коэффициентом 3 мА/°С
Габаритные размеры

NIR-IRS5pic.gif (2939 bytes)